Федеральная целевая программа "национальная технологическая база" на 2007 2011 годы (в ред. Постановления Правительства РФ от 26. 11. 2007 n 809) - страница 16


производства -- -- -- производства исходных материалов

соединений A3B5 и тройных 58 22 36 и структур для перспективных

структур для: приборов лазерной и

производства сверхмощных оптоэлектронной техники, в том

лазерных диодов; числе:

высокоэффективных светодиодов производства сверхмощных лазерных

белого, зеленого, синего и диодов;

ультрафиолетового диапазонов; высокоэффективных светодиодов

фотоприемников среднего белого, зеленого, синего и

инфракрасного диапазона ультрафиолетового диапазонов;

фотоприемников среднего

инфракрасного диапазона


74. Исследование и разработка 80 32 30 18 - - создание технологии производства

технологии получения -- -- -- -- принципиально новых материалов

гетероструктур с вертикальными 55 22 22 11 полупроводниковой электроники на

оптическими резонаторами на основе сложных композиций для

основе квантовых ям и квантовых перспективных приборов лазерной и

точек для производства оптоэлектронной техники

вертикально излучающих лазеров

для устройств передачи

информации и матриц для

оптоэлектронных переключателей

нового поколения


75. Разработка технологии 86 - - - 32 54 создание технологии производства

производства современных -- -- -- компонентов для

компонентов для 57 22 35 специализированных электронно-

специализированных лучевых;

фотоэлектронных приборов, в том электроннооптических и

числе: отклоняющих систем;

катодов и газопоглотителей; стеклооболочек и деталей из

электронно-оптических и электровакуумного стекла

отклоняющих систем; различных марок

стеклооболочек и деталей из

электровакуумного стекла

различных марок


76. Разработка технологии 80 33 30 17 - - создание технологии производства

производства особо тонких -- -- -- -- особо тонких гетерированных

гетерированных нанопримесями 54 22 20 12 нанопримесями полупроводниковых

полупроводниковых структур для структур для изготовления

высокоэффективных фотокатодов, высокоэффективных фотокатодов

электронно-оптических электронно-оптических

преобразователей и преобразователей и

фотоэлектронных умножителей, фотоэлектронных умножителей,

приемников инфракрасного приемников инфракрасного

диапазона, солнечных элементов и диапазона, солнечных элементов и

др., фотоэлектронных приборов с других приложений

высокими значениями коэффициента

полезного действия


77. Разработка базовой технологии 85 - - - 32 53 создание технологии

производства монокристаллов AlN -- -- -- монокристаллов AlN для

для изготовления изолирующих и 58 22 36 изготовления изолирующих и

проводящих подложек для проводящих подложек для создания

гетероструктур полупроводниковых

высокотемпературных и мощных

сверхвысокочастотных приборов

нового поколения


78. Разработка базовой технологии 80 33 30 17 - - создание базовой технологии

производства -- -- -- -- вакуумно-плотной спецстойкой

наноструктурированных оксидов 54 22 20 12 керамики из нанокристаллических

металлов (корунда и т.п.) для порошков и нитридов металлов для

производства вакуумно-плотной промышленного освоения

нанокерамики, в том числе с спецстойких приборов нового

заданными оптическими свойствами поколения, в том числе

микрочипов, сверхвысокочастотных

аттенюаторов, RLC-матриц, а также

особо прочной электронной

компонентной базы оптоэлектроники

и фотоники


79. Разработка базовой технологии 86 - - - 33 53 создание технологии производства

производства полимерных и -- -- -- полимерных и композиционных

гибридных органо-неорганических 58 21 37 материалов с использованием

наноструктурированных защитных поверхностной и объемной

материалов для электронных модификации полимеров

компонентов нового поколения наноструктурированными

прецизионных и наполнителями для создания

сверхвысокочастотных резисторов, изделий с высокой механической,

терминаторов, аттенюаторов и термической и радиационной

резисторно-индукционно-емкостных стойкостью при работе в условиях

матриц, стойких к воздействию длительной эксплуатации и

комплекса внешних и специальных воздействии комплекса специальных

факторов внешних факторов


Всего по направлению 5 3357 663 612 702 663 717

---- --- --- --- --- ---

2238 442 408 468 442 478


Направление 6 "Группы пассивной электронной компонентной базы"


80. Разработка технологии выпуска 57 24 18 15 - - разработка расширенного ряда

прецизионных -- -- -- -- резонаторов с повышенной

температуростабильных 38 16 12 10 кратковременной и долговременной

высокочастотных до 1,5 - 2 ГГц стабильностью для создания

резонаторов на поверхностно контрольной и связной аппаратуры

акустических волнах до 1,5 ГГц с двойного назначения

полосой до 70 процентов и

длительностью сжатого сигнала до

2 - 5 нс


81. Разработка в лицензируемых и 120 - - 21 48 51 создание технологии и конструкции

нелицензируемых международных --- -- -- -- акустоэлектронных пассивных и

частотных диапазонах 860 МГц и 80 14 32 34 активных меток-транспондеров для

2,45 ГГц ряда радиочастотных применения в логистических

пассивных и активных приложениях на транспорте, в

акустоэлектронных меток- торговле и промышленности

транспондеров, в том числе

работающих в реальной помеховой

обстановке, для систем

радиочастотной идентификации и

систем управления доступом


82. Разработка базовой конструкции и 56 24 17 15 - - создание технологии

промышленной технологии -- -- -- -- проектирования и базовых

производства пьезокерамических 37 16 11 10 конструкций пьезоэлектрических

фильтров в корпусах для фильтров в малогабаритных

поверхностного монтажа корпусах для поверхностного

монтажа при изготовлении связной

аппаратуры массового применения


83. Разработка технологии 125 86 39 - - - создание базовой технологии

проектирования, базовой --- -- -- акустоэлектронных приборов для

технологии производства и 83 57 26 перспективных систем связи,

конструирования измерительной и навигационной

акустоэлектронных устройств аппаратуры нового поколения -

нового поколения и фильтров подвижных, спутниковых,

промежуточной частоты с высокими тропосферных и радиорелейных

характеристиками для современных линий связи, цифрового

систем связи, включая интерактивного телевидения,

высокоизбирательные радиоизмерительной аппаратуры,

высокочастотные устройства радиолокационных станций,

частотной селекции на спутниковых навигационных систем

поверхностных и приповерхностных

волнах и волнах Гуляева-

Блюштейна с предельно низким

уровнем вносимого затухания для

частотного диапазона до 5 ГГц


84. Разработка технологии 96 - - 33 63 - создание технологии производства

проектирования и базовой -- -- -- высокоинтегрированной электронной

технологии производства 64 22 42 компонентной базы типа "система в

функциональных законченных корпусе" для вновь

устройств стабилизации, селекции разрабатываемых и модернизируемых

частоты и обработки сигналов сложных радиоэлектронных систем и

типа "система в корпусе" комплексов


85. Разработка базовой конструкции и 69 - - - 48 21 создание базовой технологии (2010

технологии изготовления -- -- -- г.) и базовой конструкции

высокочастотных резонаторов и 46 32 14 микроминиатюрных высокодобротных

фильтров на объемных фильтров для малогабаритной и

акустических волнах для носимой аппаратуры навигации и

телекоммуникационных и связи

навигационных систем


86. Разработка технологии и базовой 80 50 30 - - - создание нового поколения

конструкции фоточувствительных -- -- -- оптоэлектронных приборов для

приборов с матричными 53 33 20 обеспечения задач предотвращения

приемниками высокого разрешения аварий и контроля

для видимого и ближнего

инфракрасного диапазона для

аппаратуры контроля изображений


87. Разработка базовой технологии 50 13 16 21 - - создание базовой технологии

унифицированных электронно- -- -- -- -- нового поколения приборов

оптических преобразователей, 33 9 10 14 контроля тепловых полей для задач

микроканальных пластин, теплоэнергетики, медицины,

пироэлектрических матриц и камер поисковой и контрольной

на их основе с чувствительностью аппаратуры на транспорте,

до 0,1 К и широкого продуктопроводах и в охранных

инфракрасного диапазона системах


88. Разработка базовой технологии 129 45 45 39 - - создание базовой технологии (2008

создания интегрированных --- -- -- -- г.) и конструкции новых типов

гибридных фотоэлектронных 85 30 30 25 приборов, сочетающих

высокочувствительных и фотоэлектронные и твердотельные

высокоразрешающих приборов и технологии, с целью получения

усилителей для задач экстремально достижимых

космического мониторинга и характеристик для задач контроля

специальных систем наблюдения, и наблюдения в системах двойного

научной и метрологической назначения

аппаратуры


89. Разработка базовых технологий 159 63 45 51 - - создание базовой технологии (2008

мощных полупроводниковых --- -- -- -- г.) и конструкций принципиально

лазерных диодов (непрерывного и 106 42 30 34 новых мощных диодных лазеров,

импульсного излучения) предназначенных для широкого

специализированных лазерных применения в изделиях двойного

полупроводниковых диодов, назначения, медицины,

фотодиодов и лазерных волоконно- полиграфического оборудования и

оптических модулей для создания системах открытой оптической

аппаратуры и систем нового связи

поколения


90. Разработка и освоение базовых 98 - - 15 60 23 разработка базового комплекта

технологий для лазерных -- -- -- -- основных оптоэлектронных

навигационных приборов, включая 65 10 40 15 компонентов для лазерных

интегральный оптический модуль гироскопов широкого применения

лазерного гироскопа на базе (2010 г.), создание комплекса

сверхмалогабаритных кольцевых технологий обработки и

полупроводниковых лазеров формирования структурных и

инфракрасного диапазона, приборных элементов, оборудования

оптоэлектронные компоненты для контроля и аттестации,

широкого класса инерциальных обеспечивающих новый уровень

лазерных систем управления технико-экономических показателей

движением гражданских и производства

специальных средств транспорта


91. Разработка базовых конструкций и 74 27 22 25 - - создание базовой технологии

технологий создания квантово- -- -- -- -- твердотельных чип-лазеров для

электронных приемо-передающих 50 18 15 17 лазерных дальномеров,

модулей для малогабаритных твердотельных лазеров с

лазерных дальномеров нового пикосекундными длительностями

поколения на основе импульсов для установок по

твердотельных чип-лазеров с прецизионной обработке

полупроводниковой накачкой, композитных материалов, для

технологических лазерных создания элементов и изделий

установок широкого спектрального микромашиностроения и в

диапазона производстве электронной

компонентной базы нового

поколения, мощных лазеров для

применения в машиностроении,

авиастроении, автомобилестроении,

судостроении, в составе

промышленных технологических

установок обработки и сборки,

систем экологического мониторинга

окружающей среды, контроля

выбросов патогенных веществ,

контроля утечек в

продуктопроводах


92. Разработка базовых технологий 127 60 55 12 - - создание технологии получения

формирования конструктивных --- -- -- -- широкоапертурных элементов на

узлов и блоков для лазеров 85 40 37 8 основе алюмоиттриевой

нового поколения и технологии легированной керамики композитных

создания полного комплекта составов для лазеров с диодной

электронной компонентной накачкой (2008 г.),

базы для производства лазерного высокоэффективных

устройства определения наличия преобразователей частоты

опасных, взрывчатых, отравляющих лазерного излучения, организация

и наркотических веществ в промышленного выпуска оптических

контролируемом пространстве изделий и лазерных элементов

широкой номенклатуры


93. Разработка базовых технологий, 82 30 25 27 - - разработка расширенной серии

базовой конструкции и -- -- -- -- низковольтных

организация производства 55 20 17 18 катодолюминесцентных и других

интегрированных дисплеев с широким диапазоном

катодолюминесцентных и других эргономических характеристик и

дисплеев двойного назначения со свойств по условиям применения

встроенным микроэлектронным для информационных и контрольных

управлением систем


94. Разработка технологии и базовых 72 27 24 21 - - создание ряда принципиально новых

конструкций высокояркостных -- -- -- -- светоизлучающих приборов с

светодиодов и индикаторов 48 18 16 14 минимальными геометрическими

основных цветов свечения для размерами, высокой надежностью и

систем подсветки в приборах устойчивостью к механическим и

нового поколения климатическим воздействиям,

обеспечивающих энергосбережение

за счет замены ламп накаливания в

системах подсветки аппаратуры и

освещения


95. Разработка базовой технологии и 90 - - 15 57 18 создание базовой технологии

конструкции оптоэлектронных -- -- -- -- производства нового поколения

приборов (оптроны, оптореле, 60 10 38 12 оптоэлектронной высокоэффективной

светодиоды) в миниатюрных и надежной электронной

корпусах для поверхностного компонентной базы для

монтажа промышленного оборудования и

систем связи


96. Разработка схемотехнических 81 30 24 27 - - создание технологии новых классов

решений и унифицированных -- -- -- -- носимой и стационарной

базовых конструкций и технологий 54 20 16 18 аппаратуры, экранов отображения

формирования твердотельных информации коллективного

видеомодулей на пользования повышенных емкости и

полупроводниковых формата

светоизлучающих структурах для

носимой аппаратуры, экранов

индивидуального и

коллективного пользования с

бесшовной стыковкой


97. Разработка базовой технологии 93 33 30 30 - - создание технологии массового

изготовления высокоэффективных -- -- -- -- производства солнечных элементов

солнечных элементов на базе 62 22 20 20 для индивидуального и

использования кремния, коллективного использования в

полученного по "бесхлоридной" труднодоступных районах, развития

технологии и технологии "литого" солнечной энергетики в жилищно-

кремния прямоугольного сечения коммунальном хозяйстве в

обеспечение задач

энергосбережения


98. Разработка базовой технологии и 59 21 18 20 - - создание технологии массового

освоение производства -- -- -- -- производства нового класса

оптоэлектронных реле с 39 14 12 13 оптоэлектронных приборов для

повышенными техническими широкого применения в

характеристиками для радиоэлектронной аппаратуре

поверхностного монтажа


99. Комплексное исследование и 162 - - 33 99 30 создание базовой технологии

разработка технологий получения --- -- -- -- массового производства экранов с

новых классов органических 108 22 66 20 предельно низкой удельной

(полимерных) люминофоров, стоимостью для информационных и

пленочных транзисторов на основе обучающих систем

"прозрачных" материалов,

полимерной пленочной основы и

технологий изготовления

крупноформатных гибких и особо

плоских экранов, в том числе на

базе высокоразрешающих процессов

струйной печати и непрерывного

процесса изготовления типа "с

катушки на катушку"


100. Разработка базовых конструкций и 183 - 45 33 105 - создание технологии и конструкции

технологии активных матриц и --- -- -- --- активно-матричных органических

драйверов плоских экранов на 122 30 22 70 электролюминесцентных,

основе аморфных, жидкокристаллических и

поликристаллических и катодолюминесцентных дисплеев,

кристаллических кремниевых стойких к внешним специальным и

интегральных структур на климатическим воздействиям

различных подложках и создание

на их основе перспективных

видеомодулей, включая

органические

электролюминесцентные,

жидкокристаллические и

катодолюминесцентные, создание

базовой технологии серийного

производства монолитных модулей

двойного назначения


101. Разработка базовой конструкции и 162 - - 33 99 30 создание технологии и базовых

технологии крупноформатных --- -- -- -- конструкций полноцветных

полноцветных газоразрядных 108 22 66 20 газоразрядных видеомодулей

видеомодулей специального и двойного

назначения для наборных экранов

коллективного пользования


102. Разработка технологии сверх- 72 - 24 18 30 - разработка расширенного ряда

прецизионных резисторов и -- -- -- -- сверхпрецизионных резисторов,

гибридных интегральных схем 48 16 12 20 гибридных интегральных схем

цифро-аналоговых и аналого- цифро-аналоговых и аналого-

цифровых преобразователей на их цифровых преобразователей с

основе в металлокерамических параметрами, превышающими уровень

корпусах для аппаратуры двойного существующих отечественных и

назначения зарубежных изделий для аппаратуры

связи, диагностического контроля,

медицинского оборудования,

авиастроения, станкостроения,

измерительной техники


103. Разработка базовой технологии 105 - - - 45 60 разработка расширенного ряда

особо стабильных и особо точных --- -- -- сверхпрецизионных резисторов с

резисторов широкого диапазона 70 30 40 повышенной удельной мощностью

сопротивления, прецизионных рассеяния, высоковольтных

датчиков тока для измерительной высокоомных резисторов для

и контрольной аппаратуры и измерительной техники, приборов

освоение их производства ночного видения и

аппаратуры контроля


104. Разработка технологии и базовых 192 - - 24 78 90 создание базовой технологии и

конструкций резисторов и --- -- -- -- конструкции резисторов с

резистивных структур нового 128 16 52 60 повышенными значениями

поколения для поверхностного стабильности, удельной мощности в

монтажа, в том числе: резисторов чип-исполнении на основе

с повышенными характеристиками, многослойных монолитных структур

ультранизкоомных резисторов,

малогабаритных подстроечных

резисторов, интегральных сборок

серии нелинейных

полупроводниковых резисторов в

многослойном исполнении чип-

конструкции


105. Разработка технологий 90 42 36 12 - - создание базовой технологии

формирования интегрированных -- -- -- -- производства датчиков на

резистивных структур с 60 28 24 8 резистивной основе с высокими

повышенными технико- техническими характеристиками и

эксплуатационными надежностью

характеристиками на основе

микроструктурированных

материалов и методов групповой

сборки


106. Создание групповой технологии 105 45 30 30 - - создание технологии

автоматизированного производства --- -- -- -- автоматизированного производства

толстопленочных чип- и микрочип- 70 30 20 20 чип- и микрочип-резисторов (в

0931108998303486.html
0931210534082559.html
0931252297897899.html
0931363292344482.html
0931448009463314.html